ICP-PECVD SI500D

高密度等离子体 

SI500D 具有优良的等离子体特性，例如高密度，低离子能量，沉积介质膜时低压强等。 

平板ICP等离子源 

SENTECH专有的平板三螺旋天线（PTSA） 等离子源能实现高效低功率耦合。

优良的沉积效果

沉积的薄膜具有损伤少、击穿电压高、应力低，对衬底无损伤，极低表面态密度，能低于100°C的沉积等优良特性。 

动态温控 

衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控，能提供稳定的工艺条件，温度范围为室温至350 °C。 

SI500D等离子增强化学气相沉积系统可以进行介质膜、α-硅、SiC和其他材料的沉积。 

SI500D具有PTSA等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底电极温控，全面控制真空系统，采用远程现场控制总线技术的SENTECH控制软件，以及友好用户操作界面来操作。 

SI500D可以在最大尺寸为200mm的多种晶圆片上的进行沉积。单片真空装片装置保证了工艺条件稳定性，同时允许工艺的灵活切换。 

SI 500D型PECVD设备适用于室温至350℃条件下进行的SiO2、SiNx,、SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。 

SENTECH面向高灵活性和高产能刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置，从真空装片系统到最大6端口的工艺腔室装置。SI500同样可以作为多腔室配置中的一个工艺模块。