等离子沉积 Plasma Deposition

SI 500 PPD

工艺灵活 

SI500PPD适用于室温至350°C范围内SiO2, SiNx, SiOxNy a-Si和薄膜沉积标准工艺。 

loadlock预真空室 

SI 500 PPD 具有真空预装片系统、干泵来实现无油、高产能和高洁净度沉积工艺。 

控制软件 

控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理等模块。 

SI500 PPD是PECVD制备介质膜、a-Si SiC和其他薄膜的典型设备，配备有平板电容耦合等离子源、预真空室、可控温电极、可选择的低混频，全方位控制无油真空系统，采用远程现场总线技术的SENTECH控制软件，以及用户友好的操作界面来实现操作。 

SI500 PPD可以进行最大200mm的晶圆片刻蚀。配有单片预真空腔室，即保证了工艺稳定性，又可以使工艺灵活切换。 

SI500PPD PECVD机台的适用于室温至350℃条件下沉积SiO2, SiNx, SiONx, 和a-Si薄膜，也可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。

SI500 PPD 尤其适用于沉积刻蚀掩膜用介质膜、薄膜和介电膜的沉积。 

SENTECH面向高灵活性和高产能刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置，从真空装片系统到最大6端口的工艺腔室装置。SI500 PPD同样可以作为多腔室配置中的工艺模块。